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公开了半导体器件和形成用于EMI屏蔽和热量耗散的导电结构的方法。一种半导体器件，具有：天线基板；和组件模块，其被部署在天线基板上方。组件模块包括：电组件；和导电结构，其被形成在电组件周围。替代地，电组件可以被部署在天线基板上方，并且导电结构被部署在天线基板上方和电组件周围。包封物被沉积在电组件和导电结构周围。屏蔽材料被形成在组件模块上方，并且热沉被形成在组件模块上方。屏蔽材料可以被形成在组件模块上方，并且热沉被形成在屏蔽材料上方。替代地，热沉被形成在组件模块上方，并且屏蔽材料被形成在热沉上方。导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438415A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202310774036.4H01L21/50(2006.01)
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