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一种基于沟道材料的半导体器件、制备方法和用途.pdfVIP

一种基于沟道材料的半导体器件、制备方法和用途.pdf

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    本发明涉及一种基于沟道材料的半导体器件、制备方法和用途。一种基于沟道材料的半导体器件，包括基底层、设置在所述基底层上的二硒化铂层，设置在所述二硒化铂层远离所述基底层一侧的黑磷膜层，以及设置在所述黑磷膜层远离所述二硒化铂层一侧的电极层；所述二硒化铂层为具有半金属性质的二硒化铂材料层。本申请提供的半导体器件，具有较宽光吸收光谱和高载流子迁移率，且表现出了对高温引起的声子散射的有效抑制，为获得具有高温工作温度的光电探测器提供研发基础。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN115050845A

    (43)申请公布日2022.09.13

    (21)申请号202210392867.0

    (22)申请日2022.04.15

    (71)申请人西北工业大学

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