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可以提供一种半导体器件,其包括:衬底,包括单元阵列区域和外围电路区域,所述衬底包括限定在所述单元阵列区域中的第一有源区和限定在所述外围电路区域中的第二有源区;多条字线,位于所述衬底中并且在第一方向上延伸;位线,位于所述单元阵列区域中并且在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸;多个第一焊盘分隔图案,分别位于所述多条字线上,并且在所述第一方向上延伸;单元焊盘结构,位于所述衬底上并且位于所述多个第一焊盘分隔图案中的两个相邻的第一焊盘分隔图案之间;以及第二焊盘分隔图案,位于所述多个第一焊盘分隔图案中的两个
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117440682A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202310734014.5
(22)申请日2023.06.20
(30)优先权数据
10-2022-0089883
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