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能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)具备：半导体衬底(32)；形成在半导体衬底(32)上的半导体层(40)；形成于半导体层(40)的纵向场效应晶体管(10)；球形的凸点电极，形成在半导体层(40)的表面侧，高度为100μm以上；及多层结构的金属层(30)，与半导体衬底(32)的背面侧的整面接触而形成；金属层(30)中的最厚的第1金属层(30a)以构成金属层(30)的金属种类中延展性最高的第1金属为主成分；第1金属层(30a)厚度是8μm以上；在半导体层(40)的平面视图中，在金属层(
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117441235A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202380012112.6(51)Int.Cl.
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