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本发明公开了一种MEMS传感器的制作方法及MEMS传感器，其中，所述方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧设有导电互联结构；在导电互联结构上形成覆盖导电互联结构的第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一通孔；在第一通孔内填充导电材料形成第一导电结构；提供晶片，在晶片的一侧表面刻蚀形成第一凹槽，并在第一凹槽内填充导电材料以形成第二导电结构；将晶片与第一基板通过第一介质层键合，并将第一导电结构与第二导电结构键合；刻蚀晶片以形成MEMS器件结构；提供顶盖体，顶盖体与晶片键合以得到MEMS传感器。本申请的混
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117430080A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311727841.8
(22)申请日2023.12.15
(71)申请人苏州敏芯微电子技术股份有限公司
地
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