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本发明提供一种半导体存储器及部分写入方法。半导体存储器包含存储器组、写入放大器电路、多个输入/输出引脚以及多个地址引脚。写入放大器电路经由多个内部输入/输出线路来耦接至存储器组。多个输入/输出引脚经由多个输入线路来耦接至写入放大器电路。多个地址引脚的一部分接收列地址指令,且多个地址引脚的另一部分中的至少一个接收操作码。半导体存储器根据操作码来判断用于传输输入数据的内部输入/输出线路的一部分,且根据操作码来操作写入放大器电路以执行部分写入模式以便根据列地址指令将输入数据写入至存储器组中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113628644A
(43)申请公布日2021.11.09
(21)申请号202010581876.5
(22)申请日2020.06.23
(30)优先权数据
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