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本发明公开了一种高压MicroLED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底之上分别制作激光剥离层与支撑层；在支撑层之上制作外延层；对外延层进行刻蚀，暴露出支撑层的表面，得到外延隔离槽，以将外延PN结隔开；在外延层之上制作芯片层；在外延隔离槽内的支撑层之上依次制作电流阻挡层与桥接电极，桥接电极将芯片层的正负极串联；采用激光对激光剥离层进行照射，激光剥离层在高温作用下分解，使衬底脱离，得到高压MicroLED芯片。本发明解决了现有技术中旨在解决现有技术中Mi
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438512A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311765065.0
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人江西兆驰半导体有
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