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本发明公开了一种垂直结构高压MicroLED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该芯片设有外延层通孔，贯穿第二外延层与第一外延层的至少部分，或者贯穿第二外延层的至少部分，外延层通孔内第一N型半导体层或第二N型半导体层上设有N型第一电极，透明导电层上设有P型第一电极，钝化层覆盖于芯片表面且贯穿设有N型导电通孔与P型导电通孔，以分别暴露出N型第一电极与N型第二电极，钝化层之上设有N型第二电极与P型第二电极，N型第二电极通过N型导电通孔与N型第一电极接触，P型第二电极通过P型导电通孔与P型第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438516A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311765068.4
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人江西兆驰半导体有
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