第三章-半导体存储器.ppt

第三章半导体存储器3.1半导体存储器概述3.1.1半导体存储器在微型计算机中的作用在计算机中，存储器是信息的载体。通常所说的计算机软件，包括程序、待加工的数据都要送到存储器存储起来，然后由中央处理器加工处理存储系统主要由外部存储器和内部存储器两大类型存储器组成.外部存储器主要指各种大容量的磁盘存储器、光盘存储器等。内部存储器主要指能与ＣＰＵ直接进行数据交换的半导体存储器3.1.2半导体存储器的分类半导体存储器的分类如图3－1所示3.1.3常用半导体存储器及其结构（2）ＳＲＡＭ的芯片结构下面以ＳＲＡＭ6116（2Ｋ×8b）为例说明半导体存储器芯片内部结构的一般规律①存储矩阵。这是存储器芯片的主体。位存储电路是以矩阵形式排列的②矩阵译码。对于容量为2ＫＢ的存储器芯片，需要有11根地址线才能分辨到每一位电路(字节B)③数据缓冲。存储器的数据线都是挂接在ＣＰＵ的数据总线上的④数据输入／输出控制。这一部分电路用于控制存储器的读写操作ＳＲＡＭ６１１６芯片内部结构图ＳＲＡＭ的写周期写周期规定了把数据写入存储器内部过程中各控制信号和地址信号之间的时序关系6116写周期时序如图3－5所示ＳＲＡＭ的读周期读周期则规定了把存储器内部数据读出到数据总线过程中各控制信号和地址信号之间的时序关系．6116读周期时序如图3－6所示2.ＤＲＡＭ动态随机存储器ＤＲＡＭ是靠ＭＯＳ器件栅漏极间的电荷充放电存储信息的（电荷积累为1，电荷泄漏为0）.最简单的ＤＲＡＭ位电路可由单个ＭＯＳ管构成。图3－7所示为一个ＮＭＯＳ单管动态基本存储电路。数据以电荷积累形式直接存入存储电容ＣＳ上。单管Ｔ用作开关，行选线为高电平时Ｔ导通ＤＲＡＭ的刷新所谓ＤＲＡＭ的刷新，就是在2ｍｓ时间内将芯片内部的全部存储电路刷新一遍。刷新过程与存储器读写过程类似：先读出存储单元的信息，然后再重新写回该单元去，但数据不向ＣＰＵ传送。刷新是按行进行的，在一个刷新周期内对一行的所有存储电路都刷新一遍。对于2164来说，刷新时地址信号Ａ7不用，刷新行地址只由Ａ0～Ａ6组成，4个128×128阵列同时被刷新，整个器件刷新一遍，读写次数为128次。刷新行地址通常是由ＣＰＵ提供的二、ＲＯＭ1.紫外线擦除的ＥＰＲＯＭ这种器件的基本存储电路由一个浮栅雪崩注入ＭＯＳ（简称ＦＡＭＯＳ）管和一个普通ＭＯＳ管组成，如图3－10所示。其中ＦＡＭＯＳ管作为存储器件用，另一个普通ＭＯＳ管作为地址选择用。ＭＯＳ管的栅极受字线（或行线）控制，漏极接位线并经负载管到电源ＥＰＲＯＭ２７１２８

芯片结构及其操作方式27128是高速高集成度的ＥＰＲＯＭ。27128共有128Ｋb，组成16Ｋ×8b矩阵，14条地址线经译码可以选中其中任一单元（字节）。27128的结构框图如图3－12所示EPROM27128的操作方式27128操作方式选择见表3－32.电擦除可编程EEPROM

（或E2PROM）它的某些型号（型号后带有后缀Ａ）编程和擦除可在普通电压下（＋5Ｖ）进行，无须外加编程电压和写入脉冲ＰＧＭ。目前EEPROM芯片主要有Intel28XX系列,其性能见表3－53.2单片机外部存储器的扩展3.2.1单片机扩展外部存储器概念单片机扩展外部存储器包括扩展外部程序存储器和扩展外部数据存储器。这两种扩展其实质都是根据单片机的结构特点和寻址能力，把不超过64ＫＢ的ＲＡＭ和ＲＯＭ存储器芯片按照一定规律连接到单片机的外部电路上去，作为单片机的片外存储器:单片机外接程序存储器和数据存储器可以采用两种编址方法：一种是ＲＯＭ与ＲＡＭ各自独立编址，两者最大编址空间均为64ＫＢ。但数据存储器的地址空间有一部分要被单片机扩展的外部设备（Ｉ／Ｏ端口）所占用。另一种是ＲＯＭ、ＲＡＭ及其他扩展的Ｉ／Ｏ器件统一编址，其总地址空间为64ＫＢ3.2.2扩展外部存储器的一般方法图3－14单片机外部存储器扩展电路3.2.3存储器地址编码存储器芯片在系统中的地址分布是由两个因素决定:第一个因素是芯片本身的地址线（它与芯片的容量有关）。第二个因素：芯片选中信号/ＣＳ（或/ＣＥ）的获得方式3.2.4单片机扩展外部存储器的译码方法一、线选法:1.一线二用:用一根地址线选择两块芯片2.一线一选:用一根地址线选择一块芯片，多少根地址线选择多少块芯片图3－16中各块芯片的地址分布是：Ａ15Ａ14Ａ13Ａ12…Ａ0十六进制地址2764（0）0（0）