第六章-半导体存储器.pptVIP

第六章

半导体存储器及接口6.1.2存储系统的层次结构根据各种存储器的存储容量、存取速度和价格的不同，将它们按照一定的体系结构组织起来，使所放的程序和数据按照一定的层次分布在各种存储器中。一、主存与辅存的存储层次2辅助存储器（ExternalMemory）辅助存储器又称外存，是主存的后援，一般不安装在主机板上，属计算机的外部设备。外存需要配置专门的驱动设备才能完成对它的访问，如硬盘、软盘驱动器等。计算机运行时存储器的工作情况：一般由内存ROM中引导程序启动系统， 从外存储器读取系统程序和应用程序，送到内存RAM中。程序运行时中间结果放在RAM中。程序运行结束时将结果存入外存。二、主存与高速缓存的存储层次二、地址译码器功能：接收系统总线传来的地址信号，产生地址译码信号后选中存储矩阵中的某个或几个基本存储单元，带有一定驱动能力。三、存储器控制电路功能：通过存储器控制信号的引线端接收来自CPU或外部电路的控制信号，经过组合变换后，对存储矩阵、地址译码器和三态双向缓冲器进行控制。基本引脚CS，R/WRAM存取用的时间与存储单元所在的物理地址无关；主要用作主存，也可作为高速缓存使用.通常说的内存容量均指RAM容量。一般RAM芯片掉电时信息将丢失，目前有内带电池芯片，掉电后信息不丢失的RAM，称为非易失性RAM（NVRAM）。微机中大量使用MOS型（按制造工艺分成MOS型和双极型）RAM芯片。一般以内存条的形式出现。ROM按集成电路内部结构不同可分为五种：?掩膜编程ROM（MaskprogrammedROM）?PROM可编程ROM(ProgramableROM)?EPROM光可擦除PROM（ErasableProgramableROM）?E2PROM电可擦除PROM（ElectricallyErasablePROM）?快速电擦写存储器（FlashMemory）高速缓冲存储器的结构ROM掩膜ROM内容只能读出，不能改变.半导体厂家用掩膜技术写入程序成本低，适用于批量生产不适用研究工作PROM可编程ROM内容只能读出，不能改变.用户使用特殊方法进行编程，只能写一次，一次编程不能修改。适用于批量生产不适用研究工作EPROM光可擦除PROM固化程序用紫外线光照5～15分钟擦除，擦除后可以重新固化新的程序和数据。用户可以对芯片进行多次编程和擦除。适用于研究工作不适用于批量生产。E2PROM电可擦除PROM实现全片和字节擦写改写，作为非易失性RAM使用。集成度和速度不及EPROM，价格高，擦写在原系统中在线进行。FlashMemory快速电擦写存储器可以整体电擦除（时间1S）和按字节重新高速编程。CMOS低功耗；编程快（每个字节编程100μs整个芯片0.5s）；擦写次数多（通常可达到10万）与E2PROM比较：容量大、价格低、可靠性高等优势。用于PC机内装操作系统和系统不能丢失初始功能的专门领域。需要周期性地修改被存储的数据表的场合。内存细分信息存取方式特点用途只读存储器ROM分类掩膜ROM由制造厂家固化内容，不可修改。可编程只读存储器PROM由用户固化内容，但不可修改。紫外线擦除可编程只读存储器EPROM可用紫外线擦除，再用电重写。型号为27***，如：2716，2732，2764，…27040。电擦除可编程只读存储器EEPROM（E2PROM)可在线电擦除与电改写。型号28***，如：2817A，28C64，28C256。快速擦除读写存储器（FlashMemory）FlashMemory是在EPROM与EEPROM基础上发展起来的，它与EPROM一样，用单管来存储一位信息，它与EEPROM相同之处是用电来擦除，但是它只能擦除整个区或整个器件。快擦除读写存储器于1983年推出，1988年商品化。它兼有ROM和RAM两者的性能，又有DRAM一样的高密度。目前价格已低于DRAM，芯片容量已接近于DRAM，是唯一具有大存储容量、非易失性、低价格、可在线改写和高速度（读）等特性的存储器，它是近年来发展很快很有前途的存储器。如：28F016XS，29F010，29F020。

三、存储器容量的扩展地址线，片选，读写控制端（WE=0，写；WE=1，读）对应相连，数据线各自独立。例：用2114（1K?4）组成1K?8的存储器。

1、位扩展2、字扩展例：用2114（1K?4）组成2K?4的