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本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法。所述制作方法包括：在SOI衬底的第一表面上制作下电极；在所述SOI衬底的第一表面和下电极上形成压电层；在所述压电层上形成顶电极；于SOI衬底的第二表面上加工形成空气腔，所述第二表面和第一表面相背对设置。本发明提供的制作方法，简化了FBAR的制备工艺，通过此方法生长的AlN薄膜晶体质量高，有助于提高器件性能，同时通过硅注氧隔离的位置控制顶层硅的厚度来调整谐振器的频率；以及SOI材料具有的功耗低，集成密度高，抗辐射特性等特点，降低了器件制备工艺复杂度，对
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110957989A
(43)申请公布日
2020.04.03
(21)申请号20181
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