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半导体架构和制造半导体架构的方法.pdfVIP

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  • 2024-01-27 发布于四川
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半导体架构和制造半导体架构的方法.pdf

    一种半导体架构包括衬底、n型晶体管和p型晶体管，所述n型晶体管和所述p型晶体管各自形成在所述衬底上。所述半导体架构的所述n型晶体管和所述p型晶体管中的每一个包括多个指状子器件，每个指状子器件包括多个堆叠半导体。用于所述n型晶体管和所述p型晶体管中的每一个的所述指状子器件中的一个或多个指状子器件形成为叉形堆叠器件，所述叉形堆叠器件包括仅沿着所述堆叠半导体的一个侧面向下延伸的介电屏障。所述半导体架构和多指架构有利于高电流器件和功率性能权衡器件。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117461139A

    (43)申请公布日2024.01.26

    (21)申请号202180099204.3H01L29/06(2006.01)

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