原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种在锗薄膜上直接外延生长钛酸钡薄膜的方法，属于钙钛矿薄膜材料制备技术领域。本发明先在衬底或缓冲层表面外延生长一层锗薄膜，然后使用射频磁控溅射的方法直接在锗薄膜上生长钛酸钡薄膜。本发明加入了一种可调节晶格常数的锗薄膜，其可以通过与不同衬底或缓冲层间的晶格失配，人为的在锗薄膜中引入应力，从而改变锗薄膜的晶格常数；这种可调晶格常数的锗薄膜又可以改变其与钛酸钡薄膜之间晶格失配的程度，从而调整钛酸钡薄膜内部所受应力大小，这不仅可以用于控制钛酸钡薄膜晶体的生长取向，也可以提高钛酸钡薄膜的结晶质
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117448956A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311342616.2C30B29/08(2006.01)
文档评论（0）