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本发明涉及一种静态隐匿的DFF‑PUF复合电路,包括输入端口D、第一锁存器Latch1、第二锁存器Latch2、使能开关SW和输出端口Q,本发明涉及的一种静态隐匿的DFF‑PUF复合电路,相较于采用传统PUF伪装和混淆技术在一定程度上隐瞒PUF电路的物理图像细节,DFF‑PUF复合电路可以完全消除伪装电路的物理层特征,使其在电路和版图上完全兼容数字逻辑电路,实现密钥单元的静态隐匿,从而确保了密钥信息的安全,相较于SRAM‑PUF基于非门之间阈值电压失配生成密钥,本发明使用对工艺误差更为敏感的亚阈
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117454448A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311796277.5
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人湖北工业大学
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