GB/T 43227-2023宇航用集成电路内引线气相沉积保护膜试验方法.pdf

JCS49.040

CCSA29GB

中华人民共和国国家标准

GB/T43227-2023

宇航用集成电路内引线气相沉积保护膜

试验方法

Testmethodsforspacevapourdepositionprotectivefilmon

semiconductorwire

2023-09心7发布2024-01-01实施

国家市场监督管理总局Lg.-tr-

国家标准化管理委员会保W

GB/T43227-2023

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刚昌

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第l部分：标准化文件的结构和l起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会＜SAC/TC425）提出并归口。

本文件起草单位：北京微电子技术研究所、中国航天电子技术研究院。

本文件主要起草人：赵元富、挑全城、林鹏荣、冯小戚、开lj林晓、李洪剑、付明洋、林建京、曹燕红、

刘思嘉、刘l征字。

I

GB/T43227-2023

宇航用集成电路内引线气相沉积保护膜

试验方法

1范围

本文件规定了宇航用集成电路内引线采用气相沉积保护膜工艺后的气相沉积保护膜检验方法、电

力学环境试验方法。

本文件适用于完成气相沉积保护膜的宇航用集成电路的试验。

2规范性引用文件

本文件没有规程性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

气相沉积保护膜vapourdepositionprotectivefilm

将集成电路放置于专用真空设备中，经高温将气相沉积材料裂解为游离基，然后在室温下向集成电

路内部结构表团气相沉积聚合，形成的一层绝缘涂层。

4环境条件

本文件所列各项试验方法，均应在以下环揽条件下进行：

a)温度：18℃～28℃；

b)相对温度：30%～70%。

5气相沉积保护膜检验方法

5.1内部目检

5.1.1目的

对采用气相沉积工艺封装的宇航用集成电路，应检查保护膜效果，以及保护膜、电路腔体内部是否

存在损伤。

5.1.2设备

试验中采用的设备应能证明器件是否符合相应要求，包括低放大倍数下可检查40倍～100倍，高

放大倍数下可检查100倍～200倍的光学设备。

5.1.3梓晶

完成气相沉积工艺的宇航用集成电路，均应进行内部目检。

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5.1.4程序

完成气相沉积工艺后，对每只电路进行40倍～100倍检验，当出现异常或者部分区域无法精确识

别时，应在100倍～200倍下进行保护膜检验。

5.1.5失效判据

内部检验存在以下情况的均判为失效：

a)键合丝塌丝、倒丝或