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本申请具体公开了一种碳化硅功率器件的封装结构和封装方式，该结构包括芯片层，所述芯片层的两侧由内向外依次设置有导热应力缓冲层、引线框架层和散热件，所述芯片层与所述导热应力缓冲层之间以及所述导热应力缓冲层与所述引线框架层之间均设置有导热互连层，所述引线框架层与散热件之间设置有导热界面层，所述芯片层与所述引线框架层之间填充有绝缘封装层。本申请采用双面散热的封装结构，通过导热应力缓冲层、导热互连层以及引线框架层之间的相互配合，代替传统覆铜陶瓷基板和传统长回路键合线，能够在减小器件封装厚度的同时，提升器件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457595A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311708263.3
(22)申请日2023.12.13
(71)申请人江苏索力德普半导
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