半导体结构及其形成方法、以及半导体器件.pdfVIP

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2024-01-27 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法、以及半导体器件，半导体结构包括：第一顶层互连层，包括第一实心互连层、以及位于第一实心互连层侧部且与第一实心互连层相隔离的外围互连层，与第一顶层互连层顶面相平行的投影面包括打线接触区域，第一实心互连层位于打线接触区域对应的正投影区域中；第二顶层互连层，位于第一顶层互连层的上方；通孔互连结构，位于第一实心互连层和第二顶层互连层之间，且电连接第一实心互连层和第二顶层互连层；焊垫层，位于第二顶层互连层的顶部，且与第二顶层互连层电连接。本发明通过第一实心互连层消解或释放引线键合

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117457608A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202210848277.4

(22)申请日2022.07.19

(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限

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