原创力文档- 2
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- 2024-01-27 发布于四川
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本发明涉及一种提高GaAs基LED芯片亮度的制备方法，属于光电子领域。本发明在临时衬底、表面粗化、ODR反射镜的基础上，创造性的使用了双反射镜，除ODR反射镜外，在发光区远离永久衬底一侧的金属电极下方引入又一反射镜，该反射镜增加了金属电极下方区域对光的反射，将入射到金属电极下方的光反射到底部的ODR反射镜，经多次反射后从芯片的侧壁出射。另外，金属电极下方的反射镜侧壁设计为斜坡状，增加了侧壁的出光面积。为进一步提升LED芯片的亮度，本发明选择透光率较高的电流扩展层，并完全覆盖反射镜，可根据器件的实
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457814A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311597727.8
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人山东浪潮华光光电子股份有限公司
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