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一种Si/SiC异质结结构.pdfVIP

一种Si/SiC异质结结构.pdf

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    一种Si/SiC异质结结构，所述异质结形成二极管的阳极区，P型Si位于N型SiC上方，Si/SiC异质结由上述两层组成；或形成绝缘栅双极晶体管IGBT的背面发射区,P型Si位于N型SiC下方，Si/SiC异质结由上述两层组成。与传统碳化硅结构相比，本专利结构与传统硅制造工艺兼容，降低了工艺难度，提高了工艺质量，降低成本，提升了碳化硅器件的性能和可靠性。

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220400597U

    (45)授权公告日2024.01.26

    (21)申请号202322024049.8

    (22)申请日2023.07.31

    (73)专利权人北京智慧能源研究院

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