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具有增加的电流驱动能力的H形VFET.pdfVIP

具有增加的电流驱动能力的H形VFET.pdf

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    提供了用于增加WeffVFET器件的技术。在一个方面，一种形成鳍结构的方法包括：将硬掩模沉积到衬底上；将心轴材料沉积到所述硬掩模上；沿第一方向图案化所述心轴材料以形成第一心轴；在所述第一心轴旁边形成第一间隔物；在第一心轴之间形成第二心轴；沿垂直于所述第一方向的第二方向图案化所述第一心轴/所述第二心轴；在所述第一/第二心轴旁边形成垂直于所述第一间隔物的第二间隔物；选择性地移除所述第一/第二心轴，从而留下由所述第一/第二间隔物形成的阶梯形图案；将所述阶梯形图案转移到所述硬掩模，然后转移到所述衬底。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111418069A

    (43)申请公布日

    2020.07.14

    (21)申请号20188

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