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本发明提供一种高取向、边缘结构及手性可调的过渡金属硫化物纳米带及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将生长衬底在高温下退火处理，形成衬底表面台阶分布。将预备好的基底均匀涂一层过渡金属源后反扣于预处理后的生长衬底上，通过表界面调控，利用生长衬底原子级台阶，在生长衬底上得到取向一致，边缘结构及手性可调的一维过渡金属硫化物纳米带。该方法具有流程短，工艺简单，无催化剂，可控性与普适性强等特点，不仅可以调控生长材料的维度，实现一维过渡金属硫化物纳米带可控制备，同时更为重要的是对一维纳米材料的生长取向、边
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117448949A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202310210606.7B82Y40/00(2011.01)
(22)申请日2023.03.
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