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本发明公开选择性溢出LOFIC像素结构，包括光电二极管PD，传输晶体管TG，无效溢出晶体管SO，有效溢出晶体管SGA，线性跟随晶体管OSF，开关晶体管SGB，复位晶体管RST，LOFIC电容Cs，浮动扩散电容FD，源跟随晶体管SF，行选择晶体管SEL。高光强条件下光电二极管PD积累电荷达到满阱容量后溢出，一为经过无效溢出晶体管SO溢出到VDD排出的无效溢出；另一为经过有效溢出晶体管SGA溢出到LOFIC电容Cs节点的有效溢出；控制有效溢出晶体管SGA和无效溢出晶体管SO关断电压、栅长、栅宽以及栅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117459842A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311308792.4
(22)申请日2023.10.10
(71)申请人天津大学
地址300072
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