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本发明涉及一种氧化铝陶瓷靶材及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：(1)将纯度≥4N、平均粒径为0.1‑1μm的氧化铝粉进行冷等静压处理，所得素坯料经数控加工处理，得到氧化铝坯料；(2)步骤(1)所得氧化铝坯料依次经包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述氧化铝陶瓷靶材。本发明以纯度与细度较高的氧化铝粉为原料，控制冷等静压处理及热等静压处理的工艺参数，使得制备得到的氧化铝陶瓷靶材具有较高的纯度与致密度，能够满足半导体用靶材的高性能要求。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117447194A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311419754.6
(22)申请日2023.10.30
(71)申请人上海戎创铠迅特种材料有限公司
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