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2024-01-27 发布于四川
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一种用于提高RRAM存储器件及存储阵列写数据可靠性的步进式脉冲编程算法及其电路实现方法.pdf

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本发明公开了一种用于提高RRAM存储器件及RRAM存储阵列写数据可靠性的步进式脉冲编程算法及其电路实现方法，包括FPGA、数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)及外围电路；所述算法的基本原理是使RRAM器件两端产生电压降，从而使RRAM的阻态发生变化；算法所施加在RRAM两端的电压值由低到高依次递增，直到数据写入正确；每个写脉冲之间有一个读脉冲，用于验证写数据的结果，从而提高写数据的可靠性；所述算法的电路实现方法基于FPGA、数模转换器、模数转换器及外围电路。本发明提出的算法可以提高RRAM

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117457052A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311540894.9

(22)申请日2023.11.17

(71)申请人南京邮电大学

地址210046

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