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本发明涉及集成电路制造领域，具体公开一种异质结双极晶体管钝化层及制造方法和晶体管产品，该钝化层包括至少一层介质保护层和氮化硅层；所述至少一层介质保护层位于所述异质结双极晶体管的器件面与氮化硅层之间，用于增强所述异质结双极晶体管的水汽防护，以及作为氮化硅层的应力缓冲层。本发明提出的异质结双极晶体管钝化层，通过在异质结双极晶体管的器件面与氮化硅层之间设置至少一层介质保护层，不但实现了异质结双极晶体管的水汽防护，同时，也解决了异质结双极晶体管的器件面与氮化硅层之间的应力缓冲问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457591A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311460173.7
(22)申请日2023.11.03
(71)申请人唯捷创芯（天津）
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