化学传感器(离子敏传感器气敏传感器湿敏传感器).pptVIP

第六章化学传感器;化学传感器;MOS场效应管;在栅、源极施加电压UGS，会导致栅极与源极之间的电荷移动，并在栅极绝缘层下的P型半导体材料的表面大量积聚负电荷而形成反型层。若UGS大于一定的阈值电压UT，栅极绝缘层下面将形成强反型层，使P型衬底沿栅极绝缘层的栅极与源极之间形成N型沟道，若在源极和漏极间施加电压，则带粒子将沿着该沟道流通，形成漏电流ID，大小为

当（非饱和区）时

当（饱和区）时

;

可以看出，场效应管漏电流ID的大小与阈值电压UT有关，特别是在UDS、UGS恒定的情况下，阈值电压UT的变化将引起漏电流ID的变化，而离子敏场效应管正是利用场效应管的上述特征而实现对离子浓度的测量的。

;离子敏场效应管;*;二、离子的活度若给离子场效应管加一个栅电压，那么在待测溶液和敏感膜的交界处将产生一定的界面电位，根据能斯特方程，

阴离子，若还原态物质活度为1，则有

阳离子，若氧化态物质活度为1，则有

式中，为常数；R为气体常数；T为器件的热力学温度；F为法拉第常数；n为溶液中离子的价数；为溶液中离子的活度。

;活度表征了溶液中参加化学反应的离子浓度，其单位为mol/L，并且：

其中，为离子的活度系数，与溶液中离子的浓度有关，离子浓度越大，越小；相反，越大,当离子浓度=0时，=1。

在待测溶液中，一般总是存在着许多种离子，其它离子对待测离子的测量会起到干扰作用。考虑到干扰离子的作用，能斯特方程可以表示为：

其中，为选择系数;对于n沟道增强型场效应管，如果大于场效应管阈值电压，场效应管将由于的作用而导通，其漏极电流ID为：

非饱和区:

饱和区：

其中，为等效阈值电压

;式中，QSS为场效应管等效表面态和氧化层电荷；QB为场效应管耗尽区单位面积电荷；Cox为场效应管单位面积的栅电容；φF为场效应管P型衬底的体内费米能级。

在外加电压UGS和UDS恒定、保持参考电极的电???φref不变条件下，ISFET的漏电流ID的大小将随溶液的离子活度αi的变化而变化。

通过对ISFET的漏电流ID的大小的测量，就可以检测出溶液中离子的浓度。

;*;特性曲线：在ID（IDS)不变情况下;气敏传感器;本节主要介绍两种半导体气敏传感器：

电阻式气敏传感器和MOSFET气敏传感器

一、电阻式气敏传感器

1.原理

半导体材料如SnO2表面吸附某些气体时，其电导率将随气体浓度的不同而发生改变。

例如:SnO2是由许多晶粒组成的N型多晶体，其内部的电阻值可以等效为三种电阻串联：

Rn—晶粒间的晶间电阻

Rs—单个晶粒表面电阻

Rb—单个晶粒的体电阻，不随表面气体变化

又由于Rn》Rs，Rb不受吸附气体的影响，故晶体电阻可用晶间电阻Rn等效。

;

晶粒与晶粒相互接触的表面(即晶界)存在着势垒qUs。

当表面吸附还原性气体时，获取气体原子中的电子。电子在半导体内束缚空穴，降低空穴与电子的复合率，加强电子形成电流的能力，材料导电率提高，电阻减小。

当SnO2表面吸附氧化性气体（如O2）时，吸附态的气体从晶粒表面俘获电子，增大了材料表面的电子势垒，使导带电子数目减少，材料导电率降低，电阻增加。

;目前广泛使用的电阻式气敏传感器有：烧结型、薄膜型和厚膜型三种，敏感元件多为SnO2。

下图为烧结型气敏传感器。敏感元件是悬挂于中央的陶瓷材料（）气敏电阻，树脂模压的底座上有六根引线（贵重金属），两根是加热器电源引线，其余为测量电阻引线，外罩不锈钢丝网（网孔密度100目）。;2、电阻式气敏传感器的特性

优点:灵敏度高、响应速度快。

缺点：温度、湿度影响较大。

温度的影响

现象：气敏传感器的灵敏度与温度的变化关系存在一峰值，峰值所处的温度点为最佳工作温度。因此，可以通过加热以及温度控制的办法提高气敏传感器的灵敏度及稳定性。

原因：通电之前，材料吸附着大量水分子，通电后的一段时间内，受加热而温度上升，电阻值增加；当温度上升到一定的值之后，传感器吸附的水被蒸发，电阻值由高变低。

结论：传