4-二极管的伏安特性及主要参数.pptx

1.1.4二极管的伏安特性和主要参数iD/mAuD/VO一、伏安特性二极管的伏安特性是指加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线。如图所示。正向特性反向击穿反向特性二极管的伏安特性有正向特性和反向特性。iD/mAuD/VO击穿电压0?U?UthiD=0正向特性U(BR)Uth=0.5V(硅管)Uth0.1V(锗管)反向击穿反向特性U?UthiD急剧上升死区电压U（BR)?U?0iD0.1?A(硅)几十?A(锗)反向电流急剧增大(反向击穿)UU（BR）1.正向特性(1)死区：当二极管两端外加正向电压较小时，正向电流几乎为零，称为正向特性的死区，此时晶体二极管处于正向截止状态。般认为，硅二极管的死区电压为0.5V，锗二极管的死区电压为0.2V。死区电压也称为门槛电压或门限电压。(2)正向导通区：当二极管两端所加正向电压大于其死区电压时，电流急剧增大，二极管处于正向导通状态，二极管导通后两端电压基本保持不变，硅二极管的导通压降为0.7V，锗二极管的导通压降为0.3V。(1)反向截止区：当二极管承受的反向电压未达到击穿电压时，二极管呈现很大的电阻值，此时晶体二极管处于反向截止状态，仅有很微小的反向电流，称为反向饱和电流。?(2)反向击穿区：当二极管承受的反向电压达到击穿电压时，反向电流