2-三极管的电流分配.pptxVIP

1.2.2电流分配与放大原理一、晶体管放大的条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低1.内部条件集电结面积大发射结正偏2.外部条件集电结反偏?三极管放大时,通常在其发射结加正向电压，集电结加反向电压。此放大条件满足时，三极管三个极的电位关系为NPN型管：。PNP型管：。ICmAIBCB3DG6?AEECRBIEmAEB二、晶体管的电流分配和放大作用电路条件:VCVB发射结正偏集电结反偏实验电路ICmAIB(1)符合KCL定律CB3DG6?AEECRBIEmAEB1.测量结果IB/mA00.010.020.030.040.05IC/mA?0.0010.501.001.602.202.90IE/mA?0.0010.511.021.632.242.95IC/IB5050535558?IC/?I2)IC和IE比IB大得多(3)IB很小的变化可以引起IC很大的变化。即：基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用，这就是晶体管的放大作用。2.晶体管内部载流子的运动规律?①、发射区向基区扩散电子的过程：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流。ICICEICBOIBIBE②、电子在基区的扩散和复合过程：由于基区很薄，其多数载流子空穴浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子