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瓷介电容器（CC）结构：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经高温烧结后作为电极而成。特点：1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1000pF，常用的有CC1、CC2、CC18A、CC11、CCG等系列。用途：主要应用于高频电路中。特点：2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高，容量大（最大可达0.47μF)、体积小、损耗和绝缘性能较1类的差。用途：广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。外型实例第四章----§4.1电容器和电容CompanyLogo*纸介电容器（CZ）优点：电容量大（100pF~100μF）工作电压范围宽，最高耐压值可达6.3kV。缺点：体积大、容量精度低、损耗大、稳定性较差。常见有CZ11、CZ30、CZ31、CZ32、CZ40、CZ80等系列。结构：纸介电容器是用较薄的电容器专用纸作为介质，用铝箔或铅箔作为电极，经卷饶成型、浸渍后封装而成。外型实例CompanyLogo*电解电容器（CD）优点：容量范围大，一般为1~10000μF，额定工作电压范围为6.3V~450V。缺点：介质损耗、容量误差大（最大允许偏差+100%、–20%）耐高温性较差，