NP4842 30V双N沟道增强型MOSFET SOP-8 深圳恒锐丰科技.pdfVIP

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NP4842 30V双N沟道增强型MOSFET SOP-8 深圳恒锐丰科技.pdf

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NP4842SR

30VDualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

DescriptionSchematicdiagram

TheNP4842SRusesadvancedtrenchtechnologytoD1D2

司

provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.

ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPS

公

andgeneralpurposeapplications.G1G2

限

有

GeneralFeatures司

技S1S2

VDS=30V,ID=10A公

科

RDS(ON)=20mΩ(typical)@VGS=10V限Markingandpinassignment

丰

RDS(ON)=28mΩ(typical)@VGS=4.5V

锐有

ExcellentgatechargexRDS(ON)product(FOM)司SOP-8

Verylowon-resistanceRDS(ON)技(TOPVIEW)

恒公

150°Coperatingtemperature

市科限

Pb-freeleadplating丰

圳S218D2

深100%UIStested锐有

G22司7D2

技

Application恒P

YX4

公

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