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场效应晶体管的分类及使用

场效应晶体管（FET）简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108?1090）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的nMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见附图1。

H沟结构

F制结构

漏极

漏极

结场效应

D

晶体管

5

栅极

V

删极

\)

s

S

源极

源极

H沟耗尽型

F沟耗尽型

十衬底

十衬底

MOS

Is

Is

场效应

晶体管

H沟增强型

F沟增强型

+衬底

G辰

分-衬底

图1场效应晶体管的分类

MOS场效