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本发明公开了一种双面散热的封装结构及其制备方法，该封装结构通过特定的载体粘接芯片的S极和G极，可以根据芯片S极和G极的开窗大小，调整载体的大小，从而适配不同的MOS管芯片尺寸；通过芯片D极在上，配合铜片粘片结构，使产品实现了双面散热，同时获得了与产品上表面相同大小的散热面积，获得极大的散热提升，提高功率器件产品可靠性；同时，通过芯片D极在上，配合铜片粘片结构，使功率器件产品获得了更小的封装体积、更高的产品电压和功率。本发明提供的上述封装结构的制备方法，提升了产品的性能和生产良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476590A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311824791.5
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人华羿微电子股份有
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