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本发明涉及量子比特元件(1)，包括量子阱结构(2)，在该量子阱结构内量子阱(3)沿第一方向(x)形成；电极布置(4)，其被设计为限制所述量子阱(3)中的电荷载流子沿第二方向(y)和逆第二方向(y)及沿第三方向(z)和逆第三方向(z)运动，以形成量子点(5)，其中所述第一方向(x)、第二方向(y)和第三方向(z)各自成对彼此垂直；由应变硅构成的基层(6)，该基层逆第一方向(x)与量子阱结构(2)邻接。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117480592A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202180099384.5(51)Int.Cl.
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