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本发明涉及一种碳纤维布表面定向SiC纳米线阵列及制备方法，采用低成本原料并利用催化剂辅助化学气相沉积工艺，实现了在碳纤维布表面原位定向生长SiC纳米线阵列。该SiC纳米线表面光滑，尺寸均一，本发明使用该制备方法获得了大面积定向SiC纳米线阵列。本发明所提供的技术方案，原料成本低、工艺及设备简单可控、普适性强、具有良好的可重复性。由于不同于前人所制备的随机取向的碳化硅纳米线，本发明所制备的SiC纳米线与基体结合力强，有望达到满意的增韧效果。使用所述方法制备的SiC纳米线在整体碳纤维布上分布均匀，在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115058885A
(43)申请公布日2022.09.16
(21)申请号202210661138.0
(22)申请日2022.06.13
(71)申请人西北工业大学
地址710072
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