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本申请涉及光电半导体装置及其制造方法。本申请公开一种光电半导体装置的制造方法，包括：提供矩阵基板，矩阵基板包括基材与矩阵电路，矩阵电路设置于基材上；由暂时性基材上将多个微尺寸光电半导体元件转置至矩阵基板上，这些微尺寸光电半导体元件间隔设置于矩阵基板上，且各微尺寸光电半导体元件的至少一个电极分别与矩阵电路电性连接；形成保护层完全覆盖这些微尺寸光电半导体元件，保护层的高度大于这些微尺寸光电半导体元件的高度；以及研磨保护层，直到各微尺寸光电半导体元件的背表面上的残留物及背表面被去除而露出新表面为止。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476738A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311728002.8H01L33/00(2010.01)
(22)申请日2019.02.
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