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一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法.pdfVIP

一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法.pdf

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    本发明提供了一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法。该方法包括：在GaN衬底上表面生长外延层；在外延层的上表面生长外延金刚石；在外延金刚石上表面距离外延金刚石边缘的预设位置处进行激光切割，采用激光切割产生的热量将外延金刚石与外延层进行边缘分离，得到第一样品；将第一样品放入腐蚀溶液中进行腐蚀，将外延层腐蚀掉后，得到分离的外延金刚石与GaN衬底。本发明能够在不损伤GaN材料功能层的前提下，实现外延金刚石与GaN材料的彻底分离。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN115491764A

    (43)申请公布日2022.12.20

    (21)申请号202211213382.7C30B33/00(2006.01)

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