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本发明提供了半导体器件的制造方法，包括提供衬底；在衬底的上表面的第一区域内形成凹槽和填充其的第一牺牲层，在衬底的上表面的第二区域上形成第二牺牲层；在衬底上沉积下电极层材料并对其进行图形化操作，以形成覆盖第一牺牲层的第一下电极及覆盖第二牺牲层的第二下电极；沉积覆盖两个下电极的压电层材料并对其平坦化或图形化操作，形成堆叠在第一下电极之上的第一压电层和堆叠在第二下电极之上的第二压电层，第一压电层的厚度大于第二压电层；形成堆叠在第一压电层上的第一上电极和堆叠在第二压电层上的第二上电极；移除牺牲层，形成空
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117478091A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311277036.XH10N30/00(2023.01)
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