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本发明公开了一种基于Ga掺杂ZnO微米线的自驱动紫外光光电探测器,包括导电玻璃,导电玻璃的同侧设置Au薄膜电极、MgO绝缘层和n‑AgNWs@ZnO:Ga微米线,n‑AgNWs@ZnO:Ga微米线设置在MgO绝缘层之间,MgO绝缘层、n‑AgNWs@ZnO:Ga微米线远离导电玻璃的一侧设置电子阻挡层,电子阻挡层与p‑GaN薄膜相连,p‑GaN薄膜朝向电子阻挡层的一侧设置薄膜电极,远离电子阻挡层的一侧设置衬底。本发明还公开了该自驱动紫外光光电探测器的制备方法。本发明自驱动紫外光光电探测器存在表面缺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476788A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311277211.5
(22)申请日2023.09.28
(71)申请人南京航空航天大学
地址2111
原创力文档


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