原创力文档- 7
- 0
- 约1.28万字
- 约 12页
- 2024-01-31 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种构建氧缺陷调控二氧化铪5d轨道电子的方法，包括：S1：利用水热法，通过调控制备过程中的氧分压，制得带有不同氧缺陷的氧化铪纳米晶体并计算氧缺陷浓度；S2：依据第一性原理进行计算，构建微观结构下的二氧化铪晶体模型，并依据步骤S1的实验结果对相应模型进行修改。S3：根据步骤S2得到的带有氧缺陷的HfO2，分别计算近氧空位端铪原子和远氧空位端铪原子分布的总态密度和分态密度，计算d原子轨道的比例，用以建立调控二氧化铪5d轨道电子的方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117466331A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311430227.5
(22)申请日2023.10.31
(71)申请人大连海事大学
地址116000
文档评论（0）