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三维非易失性存储器件.pdfVIP

三维非易失性存储器件.pdf

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    一种三维非易失性存储器件，包括：水平字线，所述水平字线在垂直方向上彼此分隔开；水平铁电层，所述水平铁电层布置在所述水平字线之间，所述水平铁电层包括上水平铁电层和下水平铁电层；垂直铁电层，所述垂直铁电层与所述水平铁电层的侧壁接触并在所述垂直方向上延伸；半导体柱，所述半导体柱在所述垂直方向上穿过所述水平字线；和沟道区，所述沟道区位于所述水平字线和所述半导体柱之间，其中，所述上水平铁电层和所述下水平铁电层在所述垂直方向上通过气隙彼此分隔开。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117479542A

    (43)申请公布日2024.01.30

    (21)申请号202310524578.6

    (22)申请日2023.05.10

    (30)优先权数据

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