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AlGaN外延结构的生长方法及应用.pdfVIP

AlGaN外延结构的生长方法及应用.pdf

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    本申请公开了一种高质量AlGaN外延结构的生长方法及应用。生长方法包括：在纳米图形化衬底表面生长AlN模板层，在第一V/III比的条件在AlN模板层表面生长第一AlGaN层，在第二V/III比的条件在第一AlGaN层表面生长第二AlGaN层，按照先生长一层第一AlGaN层、再生长一层第二AlGaN层的顺序重复n个周期，在第一V/III比的条件，在第二AlGaN层表面生长第三AlGaN层，在第三V/III比的条件，在第三AlGaN层表面生长AlGaN外延层。本申请的生长方法，能够实现在纳米图形化衬

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117476825A

    (43)申请公布日2024.01.30

    (21)申请号202311787649.8

    (22)申请日2023.12.25

    (71)申请人北京中博芯半导体科技有限公司

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