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本公开涉及一种半导体叠层结构的制造方法及半导体结构，该方法包括提供衬底，于衬底的顶面形成沿第一方向延伸的第一金属结构及位于第一金属结构的沿第二方向相对两侧的隔离结构，第一金属结构与隔离结构之间包括位于第一金属结构外侧壁的牺牲氧化层；去除部分隔离结构及牺牲氧化层，形成暴露出部分第一金属结构的沿第二方向相对侧表面的目标凹槽；至少于第一金属结构的裸露表面形成绝缘层；形成至少填充满目标凹槽且沿第二方向延伸的第二金属结构；在与第一状态不同的其他状态下，第二金属结构与第一金属结构之间具有至少一种互联状态。可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476549A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311789157.2
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司
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