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本发明涉及一种锗硅光电二极管，其包括第一半导体区、位于第一半导体区内的第一掺杂区、第二半导体区、位于第二半导体区内的第二掺杂区、绝缘层、隔离区、第一电极和第二电极，还包括连接区，其中，所述第一半导体区与第二半导体区由所述绝缘层隔开，所述连接区还沿纵向延伸并贯穿位于所述第一半导体区与第二半导体区之间的所述绝缘层，并连接所述第一半导体区与第二半导体区，所述第一半导体区和所述第二半导体区中的其中一个采用硅材料，另一个采用锗材料。本发明利用深宽比限制(ART)技术制备低位错密度的锗薄膜，得到的外延锗层作
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476799A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311462456.5
(22)申请日2023.11.06
(71)申请人浙桂（杭州）半导体科技有限责任公
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