大学微电子半导体物理期末考题 邓宁解读.docx

发信人:blackeye(黑眼),信区:Pretest

标题:半导体期末题

发信站:FreeEE(FriJul210:05:201999),转信

名词解释平带电压；

光生伏特效应；电子阻挡层。2.C-V曲线

解释理想情况的；

算有功函数差和SI02电荷的平带电压；

解释有界面态的C-V曲线。

画异质结能带图，求出Vd和势垒的高度。

解释本征吸收限；

解释直接跃迁吸收，间接跃迁吸收；解释本征吸收限和温度的关系；

解释为什么在一定的能量吸收系数陡峭上升。

发信人:thirteen(饿红坦克),信区:Pretest

标题:田奶奶2005年1月12日考题——半导体

发信站:自由空间(WedJan1217:32:532005),站内

A卷

一。选择题

1。掺有磷的硅晶体中再掺入硼，电导率的变化如何（变大，变小，不变）

2。温度升高，pn结反向电流的变化（大，小，不变）

3。光照n型肖特基结，半导体一侧势垒高度变化（大，小，不变），金属一侧的势垒高度的变化（大，小，不变）

4。两种半导体除掺杂浓度不同Nd1Nd2，其他都相同，求时间常数的关系（.,相等）

5。pn结通正向小电流时，计算值比实验值小，求在分析的时候忽略了什么（势垒区的复合电流，产生电流）

6。硅电子受光子激发，发生本征跃迁，下列那种说法错误（能量相等，波矢变，波矢不变）

7。功函数为Wm的金属与Ws的半导体，WmWs，将形成（电子阻挡层，电子反阻挡层，空穴阻挡层，空穴反阻挡层）

8。空穴与价带顶空态电子的速度（不同，相同），波失（不同，相同）

二。简答题

1。温度不同，吸收限不同的原因。300k时Ge在0.8eV处吸收系数陡峭上升，原因是什么（见书中P280的图10.7）

2。Ge和Si的散射机构是什么？温度升高，分别怎样变化

3。准热平衡以及准费米能的含义

三。Ge,Si的异质pn结，Ge为p型，Si为n型

已知两者的功函数，禁带宽度，X，以及Ef-Ev,Ed-Ef

请画出能带图。

四。单一受主的p型半导体，试推导：在低温弱电离情况下，dEf/dT的表达式五。n型半导体，失主浓度满足以下关系Nd=No*exp(-x/L)

求：1.内建电场表达式2.求电位以及能带图

3.证明爱因斯坦关系

六。杂质补偿型半导体 Si,Na=10^15/cm^3,Ef与Ed重合，平衡载流子 n0=5*10^15/cm^-3，gd=2,ni=1.5*10^10/cm^-3，求：

平衡时少子的浓度

Si中的施主杂质浓度Nd

电离杂质和中性杂质的浓度

七。

/ / /

/光照 / /

/ / /

x0 x=0 x0

p型半导体，光照在体内均匀吸收，产生率为G,求n(x)

发信人:smallsheep(小羊),信区:Pretest

标题:田立林－半导体物理2004.1.12

发信站:自由空间(WedJan1217:24:452005),站内

奶奶这次还算厚道呵呵。简答题：

解释那个“肩形”图，为什么300K比77K本征吸收限低，为什么会有陡峭上升的那段。

GeSi中的主要散射结构，他们的散射几率随温度怎么变

什么是准热平衡，什么是准费米能级。计算：

推导出底低温弱电离时。只含一种受主的P型Si中EF随温度的变化率。

ND=N0exp(-x/a),求出电场强度，电势分部，并做图，最后证明爱因斯坦关系。

3.

4.

跟作业类似。不说啦。

天空题其它人补充吧。呜.............

发信人:gshh(我不是牛人),信区:Pretest

标题:1字班半导体（微）期末试题（部分）

发信站:自由空间(2004年01月03日10:31:17星期六),站内信件

一。简要说明

pn结势垒电容和扩散电容；简并半导体和非简并半导体光生伏特效应

二。填空（不全）

1。Si中两种主要散射机构 和 ，前者迁移率随温度升高而 ，后者迁移率随温度升高而 。

2。补偿p型Si，电中性条件。低温弱电离 ，强电离 ，本征区

3。两个n型半导体形成同型异质结，EgaEgb,χaχb,WaWb,平衡时，ΔEc= ,ΔEv=

,Vd=，画出能带图。

4。半导体中的光吸收类型有 , , , ,

三。书上5。7题

四。画n型MOSC-V特性曲线

1。理想情况，标出平带电容

2。考虑功函数，WmWs

3。考虑二氧化硅层中的正电荷

4。考虑界面态

5。已知Wm=4.6eV,Ws=4.3ev,Qi=10^12/