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本申请提供一种磁存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决存储密度较低的技术问题。该磁存储器包括至少一个行单元，每个行单元包括自旋轨道转矩层、至少两个磁隧道结和选择器。至少两个磁隧道结沿第一方向间隔排布在自旋轨道转矩层，最外侧的两个磁隧道结彼此背离的一侧分别设置有选择器。选择器还与自旋轨道转矩层耦接，且被配置为允许电流在自旋轨道转矩层沿第一方向或者第二方向流动。通过两个选择器可以改变自旋轨道转矩层内电流的流动方向，无需设置晶体管，可以降低其所占用面积，从而提升磁存储器的存储密度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117500281A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202410001101.4
(22)申请日2024.01.02
(71)申请人致真存储（北京）科技有限公司
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