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基于FinFET的三值SRAM单元电路及控制方法.pdfVIP

基于FinFET的三值SRAM单元电路及控制方法.pdf

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    本发明涉及基于FinFET的三值SRAM单元电路，包括：由FinFET晶体管构成的两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件，所述逻辑值存储基本元件包含两个三值反相器，包括两个P沟道FinFET晶体管M1和M3，四个N沟道FINFET晶体管M2、M4、M5和M6；两个由FinFET晶体管构成的传输门作为存取管，所述两个存取管分别由N沟道FinFET晶体管M11、P沟道FinFET晶体管M12N沟道晶体管M9、P沟道晶体管M10构成。本发明的有益效果是：本发明电路通过两个三值反相器交叉耦合所

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN109684665A

    (43)申请公布日

    2019.04.26

    (21)申请号20181

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