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本发明提供晶圆双面抛光中轨迹运动监测控制方法,包括以下步骤:步骤一:将待抛光晶圆放置于抛光设备中,抛光设备包括下打磨盘、上打磨盘、载盘,载盘位于下打磨盘上,载盘上开设有中心孔、放置孔,放置孔内嵌有晶圆。本发明在对晶圆抛光过程中,工业相机一依次对多个载盘的中心孔位置图像信息摄取,并与储存的预摄取载盘的中心孔位置图像信息比对,当抛光过程中,工业相机一摄取载盘的中心孔位置图像信息与储存的图像信息不一致时,控制抛光设备停止工作,实现对晶圆抛光过程中轨迹运动监测控制效果,有效的避免晶圆抛光过程中轨迹发生变
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117484371A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311371673.3
(22)申请日2023.10.20
(71)申请人南京孚克讯新材料
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