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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种异质结碳化硅IGBT器件及其制备方法、芯片，其中，碳化硅P型掺杂层和碳化硅衬底层位于缓冲层与漏极金属层之间，N型碳化硅漂移层位于缓冲层上，N型碳化硅漂移层的水平部上设有P柱；P型重掺杂层位于P柱与肖特基金属层之间，N型阻挡层位于N型碳化硅漂移层的垂直部与P型基层之间，第一P型源区和第一N型源区位于P型重掺杂层与源极金属层之间，通过设置N型阻挡层与肖特基金属层之间形成肖特基接触，且肖特基金属层与源极金属层接触，可以提升器件的击穿电压，并且改善器件的快恢复特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497580A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311846517.8
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人深圳天狼芯半导体
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