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本发明提供一种逻辑发射器输出电路、发射器和电子设备，涉及内存接口技术领域，本发明通过控制PMOS阵列中各PMOS晶体管的栅极电压，可调节接入上拉开关管通路中的PMOS管的大小和个数，以控制与校准上拉开关管通路的输出阻抗，通过控制NMOS阵列中各NMOS晶体管的栅极电压，可调节接入下拉开关管通路的NMOS晶体管的大小和个数，以控制与校准下拉开关管通路的输出阻抗，来达到上拉与下拉输出阻抗值可控，以满足各协议要求，通过上拉开关管隔开了PMOS阵列与输出信号端，通过下拉开关管隔开了NMOS阵列与输出信号
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117493249A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311853744.3
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人中茵微电子（南京）有限公司
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