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本发明属于陶瓷覆铜板制备领域，具体涉及一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：步骤一，对氮化物陶瓷基板与铜箔表面进行清洁处理；步骤二，在步骤一处理后的氮化物陶瓷基板表面溅射Ti；步骤三，将步骤二得到的溅射完Ti层的氮化物陶瓷基板上溅射Cu；步骤四，在溅射完Cu层的氮化物陶瓷基板上印刷CuP浆料，并在印刷CuP浆料的氮化物陶瓷基板放入烘干箱中对CuP浆料进行烘干；步骤五，将步骤四得到的氮化物陶瓷基板与步骤一得到的清洗后的铜箔装夹，放入真空炉中，在较低的温度下钎焊成型，得氮化物陶瓷
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117486629A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202410000848.8
(22)申请日2024.01.02
(71)申请人福建毫米电子有限公司
地址36
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